Главная
Техника
Технические проблемы
Микронагреватели
Полупроводниковые сенсоры.
Термокаталитические сенсоры.
Термоанемометры
Газовый стенд
Сотрудники
Литература
Наши
партнеры
Новости
Контакты |
Полупроводниковые
сенсоры.
Нами разработан комплекс технологических
операций, который позволяет производить чувствительные элементы для
быстродействующих газовых датчиков полупроводникового типа.
TAF-сенсоры
отличаются
низким энергопотреблением при сохранении высокой
чувствительности, надежности и долговечности. Использование их в
соответствующих электронных устройствах, позволяет поддерживать
температуру каталитических слоев на заданном уровне с высокой
точностью, что позволяет избежать такого неприятного явления,
как автокатализ. Наши сенсоры остаются работоспособными даже
после воздействия на них высоких концентраций детектируемого
газа.
|
 |
TAF-сенсоры,
в
процессе эксплуатации, могут испытывать значительные нагрузки.
Испытания микронагревателей газовых датчиков показали их хорошую
стабильность, при работе в режимах, как постоянного, так и
импульсного нагрева.
Полупроводниковые
TAF-сенсоры
позволяют изготавливать надежные, быстродействующие, экономичные
и недорогие газоанализаторы. Приборы изготовленные на их основе
могут измерять концентрации не только горючих газов и паров (метана,
пропана, бутана водорода, тяжелых углеводородов, спирта, паров
растворителей), но и многие другие токсичные газы
(аммиак, сероводород и др.) .
Изготовленные малыми партиями, наши
датчики успешно проходят испытания в ряде исследовательских
центров у нас в стране и за рубежом.
|
Основные
характеристики пленочных измерительных элементов.
Ниже
представлены основные характеристики полупроводникового
TAF-сенсора
в сравнении с их ближайшими аналогами
TGS 2611
и
TGS
842 фирмы Фигаро (Япония).
|
TAF-сенсор |
TGS 2611 |
TGS 842 |
Потребляемая мощность при 450°С, мВт. |
< 65 |
> 280 |
835
(typical) |
Толщина
подложки,
мкм |
10 - 50 |
|
|
Время
теплового отклика нагревателя, мс |
50 |
|
|
Сопротивление нагревателя при комнатной температуре, Ом |
10
-
30 |
59 |
30,0
± 3,0 |
Дрейф
параметров нагревателя, % в год. |
< 2 |
|
|
Ресурс
нагревателя при импульсных измерениях (20®450®20°C). |
Не менее
- 5×106
циклов |
|
|
Размеры
чипа, мм2 |
6 х 6 |
|
|
Размеры
горячей зоны, мкм2 |
300 х 300 |
|
|
Материал
нагревателя |
Pt |
|
|
Диапазон измерения концентрации
анализируемого газа, % |
0.005 -
2.5
метан,
пропан |
0,005 - 1,0
метан, пропан |
0,005 - 1,0
метан,
пропан |
|