Главная

Техника
  Технические проблемы
  Микронагреватели
  Полупроводниковые сенсоры.
  Термокаталитические сенсоры.
  Термоанемометры
  Газовый стенд

Сотрудники

Литература

Наши партнеры

Новости

Контакты

Полупроводниковые сенсоры.

Нами разработан комплекс технологических операций, который позволяет производить чувствительные элементы для быстродействующих газовых датчиков полупроводникового типа. 

TAF-сенсоры  отличаются низким энергопотреблением при сохранении высокой чувствительности, надежности и долговечности. Использование их в соответствующих электронных устройствах, позволяет поддерживать температуру каталитических слоев на заданном уровне с высокой точностью, что позволяет избежать такого неприятного явления, как автокатализ. Наши сенсоры остаются работоспособными даже после воздействия на них высоких концентраций детектируемого газа.

TAF-сенсоры, в процессе эксплуатации, могут испытывать значительные нагрузки. Испытания микронагревателей газовых датчиков показали их хорошую стабильность, при работе в режимах, как постоянного, так и импульсного нагрева.

Полупроводниковые TAF-сенсоры позволяют изготавливать надежные, быстродействующие, экономичные и недорогие газоанализаторы. Приборы изготовленные на их основе могут измерять концентрации не только горючих газов и паров (метана, пропана, бутана водорода, тяжелых углеводородов, спирта, паров растворителей), но и многие другие токсичные газы (аммиак, сероводород и др.) .

Изготовленные малыми партиями, наши датчики успешно проходят испытания в ряде исследовательских центров у нас в стране и за рубежом.

Основные характеристики пленочных измерительных элементов.

Ниже представлены основные характеристики полупроводникового TAF-сенсора в сравнении с их ближайшими аналогами TGS 2611 и TGS 842 фирмы Фигаро (Япония).

 

TAF-сенсор

TGS 2611

TGS 842

 Потребляемая мощность при 450°С, мВт.

< 65

> 280

835

(typical)

 Толщина подложки, мкм

10 - 50

 

 

 Время теплового отклика нагревателя, мс

50

 

 

 Сопротивление нагревателя при комнатной  температуре, Ом

10 - 30

59

30,0 ± 3,0

 Дрейф параметров нагревателя, % в год.

< 2

 

 

 Ресурс нагревателя при импульсных  измерениях (20®450®20°C).

Не менее - 5×106 циклов

 

 

 Размеры чипа, мм2

6 х 6

 

 

 Размеры горячей зоны, мкм2

300 х 300

 

 

 Материал нагревателя

Pt

 

 

 Диапазон измерения концентрации анализируемого газа, %

0.005 - 2.5

метан, пропан

0,005 - 1,0

метан, пропан

0,005 - 1,0

метан, пропан